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发明

一种宽带高透过Al2O3/MgF2双层减反射膜的制备方法

2023-05-05 09:38:57 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202011036770.3
  • 公开（公告）日：2024-06-11
  • 公开（公告）号：CN114277343A
  • 申请人：天津工业大学
摘要：本发明属于光学薄膜技术领域，公开了一种以Al2O3和MgF2为靶材用磁控溅射法制备宽带高透过双层Al2O3/MgF2减反射膜的方法，其特征在于先在玻璃衬底上溅射Al2O3膜层，以高纯O2作为反应气体掺入到工作气体Ar中，选择适当的射频溅射功率和溅射工作压力，使Al2O3膜层的O/Al的原子比高于理想的化学计量1.5∶1，折射系数远低于正常Al2O3的折射率，也低于玻璃衬底的折射率，可以实现减反射作用；然后在Al2O3膜层表面溅射折射率更低的MgF2膜层，进一步提高了玻璃衬底在300‑1100nm波长范围内的透光率。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114277343 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202011036770.3 (22)申请日 2020.09.28 (71)申请人 天津工业大学 地址 300387 天津市西青区宾水西道399号 (72)发明人 刘俊成　马超　樊小伟　付亚东　 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种宽带高透过Al O /MgF 双层减反射膜的 2 3 2 制备方法 (57)摘要 本发明属于光学薄膜技术领域，公开了一种 宽带高透过双层Al O /MgF 减反射膜的制备方 2 3 2 法，包括以下步骤：O 气体掺杂量设置、溅射Al O 2 2 3 参数设置、溅射MgF 参数设置，所用靶材为Al O 2 2 3 (规格101.6×3mm，99.99％)，MgF (规格101.6×

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