发明

半导体激光器的电极的制备方法及电极2024

2024-03-31 07:39:53 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311817348.5
  • 公开(公告)日:2024-10-29
  • 公开(公告)号:CN117791297A
  • 申请人:武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要:本申请公开了半导体激光器的电极的制备方法及电极,该方法包括:对第一晶圆进行沉积处理,以使第一晶圆的表面附着第一金属膜,得到第二晶圆;对第二晶圆进行电镀处理,以使第一金属膜上附着第二金属膜,得到第三晶圆,其中,第三晶圆已剥离光刻胶;对第三晶圆依次进行涂光刻胶和光刻处理,以形成第二光刻图形,得到第四晶圆;对第四晶圆进行沉积处理,以使第四晶圆的表面附着第三金属膜,对附着第三金属膜的第四晶圆进行剥离处理,得到半导体激光器的电极。通过电镀方式在第一金属膜外又附着第二金属膜,使得第一金属膜和第二金属膜贴合紧密,相当于加厚了第一金属层,使得金属电极的热容量变大,提高了半导体激光器的电极散热性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117791297 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311817348.5 (22)申请日 2023.12.26 (71)申请人 武汉敏芯半导体股份有限公司 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开 发区滨湖路8号F2栋 (72)发明人 刘陆萌 夏宏宇 刘应军 易美军  徐帅  (74)专利代理机构 北京中强智尚知识产权代理 有限公司 11448 专利代理师 董嘉平 (51)Int.Cl. H01S 5/042 (2006.01) C25D 7/12 (2006.01) C25D 17/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 半导体激光器的电极的制备方法及电极 (57)摘要 本申请公开了半导体激光器的电极的制备 方法及电极,该方法包括:对第一晶圆进行沉积 处理,以使第一晶圆的表面附着第一金属膜,得 到第二晶圆;对第二晶圆进行电镀处理,以使第 一金属膜上附着第二金属膜,得到第三晶圆,其 中,第三晶圆已剥离光刻胶;对第三晶圆依次进 行涂光刻胶和光刻处理,以形成第二光刻图形, 得到第四晶圆;对第四晶圆进行沉积处理,以使 第四晶圆的表面附着第三金属膜,对附着第三金 属膜的第四晶圆进行剥离处理,得到半导体激光 器的电极。通过电镀方式在第一金属膜外又附着 第二金属膜,使得第一金属膜和第二金属膜贴合 A 紧密,

最新专利