半导体激光器的电极的制备方法及电极2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117791297 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311817348.5 (22)申请日 2023.12.26 (71)申请人 武汉敏芯半导体股份有限公司 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开 发区滨湖路8号F2栋 (72)发明人 刘陆萌　夏宏宇　刘应军　易美军　 徐帅　 (74)专利代理机构 北京中强智尚知识产权代理 有限公司 11448 专利代理师 董嘉平 (51)Int.Cl. H01S 5/042 (2006.01) C25D 7/12 (2006.01) C25D 17/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 半导体激光器的电极的制备方法及电极 (57)摘要 本申请公开了半导体激光器的电极的制备 方法及电极，该方法包括：对第一晶圆进行沉积 处理，以使第一晶圆的表面附着第一金属膜，得 到第二晶圆；对第二晶圆进行电镀处理，以使第 一金属膜上附着第二金属膜，得到第三晶圆，其 中，第三晶圆已剥离光刻胶；对第三晶圆依次进 行涂光刻胶和光刻处理，以形成第二光刻图形， 得到第四晶圆；对第四晶圆进行沉积处理，以使 第四晶圆的表面附着第三金属膜，对附着第三金 属膜的第四晶圆进行剥离处理，得到半导体激光 器的电极。通过电镀方式在第一金属膜外又附着 第二金属膜，使得第一金属膜和第二金属膜贴合 A 紧密，