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发明

耐等离子体涂布膜、其制造方法以及耐等离子体构件

2023-06-10 07:14:15 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202210769546.8
  • 公开（公告）日：2023-02-28
  • 公开（公告）号：CN115717229A
  • 申请人：KOMICO有限公司
摘要：根据本发明的耐等离子体涂布膜的制造方法，其包括：第一步骤，通过热喷涂工艺将包含90～99.9wt％的第一稀土类金属化合物颗粒和0.1～10wt％的硅(SiO2)颗粒的第一稀土类金属化合物粉末涂布在涂布对象物上形成下部涂层的步骤；第二步骤，通过对所述第一步骤中形成的第一稀土类金属化合物涂层进行表面加工来使所述第一稀土类金属化合物涂层的表面具有1至6μm的平均表面粗糙度的步骤；以及第三步骤，通过悬浮液等离子体热喷涂工艺将第二稀土类金属化合物颗粒涂布在执行所述第二步骤的表面加工的第一稀土类金属化合物涂层上形成上部涂层的步骤，从而能够获得致密、化学稳定且提高了耐电压特性的耐等离子体涂布膜。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115717229 A (43)申请公布日 2023.02.28 (21)申请号 202210769546.8 C23C 4/11 (2016.01) H01L 21/67 (2006.01) (22)申请日 2022.06.30 (30)优先权数据 10-2021-0111370 2021.08.24 KR (71)申请人 KOMICO有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 郑东勋　方晟植　郑在任　金大成　 (74)专利代理机构 成都超凡明远知识产权代理 有限公司 51258 专利代理师 魏彦 (51)Int.Cl. C23C 4/134 (2016.01) C04B 41/52 (2006.01) C04B 41/89 (2006.01) C23C 4/10 (2016.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图2页 (54)发明名称 耐等离子体涂布膜、其制造方法以及耐等离 子体构件 (57)摘要 根据本发明的耐等离子体涂布膜的制造方 法，其包括：第一步骤，通过热喷涂工艺将包含90 ～99.9wt％的第一稀土类金属化合物颗粒和0.1 ～10wt％的硅(SiO )颗粒的第一稀土类金属化 2 合物粉末涂布在涂布

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