一种液相法单炉多次生长碳化硅晶体的装置及方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116657251 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310874845.2 (22)申请日 2023.07.17 (71)申请人 成都天一晶能半导体有限公司 地址 610000 四川省成都市高新区(西区) 新航路18号105栋 (72)发明人 林洪峰　李书森　汪愈丰　王程　 蔡蔚　 (74)专利代理机构 成都君合集专利代理事务所 (普通合伙) 51228 专利代理师 尹玉 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 9/12 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种液相法单炉多次生长碳化硅晶体的装 置及方法 (57)摘要 本发明公开了一种液相法单炉多次生长碳 化硅晶体的装置及方法，所述装置包括主腔室、 副腔室、安装座、石墨坩埚、加热机构、盖板机构、 活动保温单元；所述安装座的内部安装有石墨坩 埚，所述安装座的顶部设置有若干个盖板机构， 且侧壁的两侧分别设置有若干个活动保温单元； 所述盖板机构包括左移动盖板、右移动盖板，且 左移动盖板与右移动盖板之间的中部设置有贯 通的通孔。本发明通过副腔室实现石墨托的安装 以及后续碳化硅晶体的冷却导出，提高了碳化硅 晶体的生长效率。本发明通过若干个盖板机构以 A 及活动保温单元，实现了推石墨坩埚内部纵向以 1 及径向温度梯度的调节，保证了碳化硅