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发明

一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及其应用2025

2023-10-16 07:18:08 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310479817.0
  • 公开（公告）日：2025-05-20
  • 公开（公告）号：CN116873980A
  • 申请人：深圳技术大学
摘要：本申请公开了一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及其应用。本申请制备方法包括，将α‑MoO3和硫粉加入有机溶剂中混匀，在120‑150℃反应20‑24h，离心取上层清液避光保存得MoO3QDs溶液，干燥，得硫化MoO3‑xQDs粉末；将MoO3‑xQDs粉末分散水中，制成浆料，涂覆于基板上，300‑350℃加热1‑2h，获得半导体三氧化钼纳米片；α‑MoO3和硫粉质量比为1:0.5‑2。本申请方法，在制备过程中添加硫粉进行掺杂，通过简单的调节硫粉量即可制备获得不同形貌和性能特性的三氧化钼纳米片，操作简单方便，具有更强的灵活性和实用性，为制备不同形貌和性能三氧化钼纳米片提供了一种新的方案和途径。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116873980 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202310479817.0 (22)申请日 2023.04.27 (71)申请人 深圳技术大学 地址 518000 广东省深圳市坪山区石井街 道兰田路3002号 (72)发明人 徐芳　李雯　王爱武　徐浩　 (74)专利代理机构 深圳鼎合诚知识产权代理有 限公司 44281 专利代理师 李小焦　彭家恩 (51)Int.Cl. C01G 39/02 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) C04B 41/87 (2006.01) G01N 27/12 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及 其应用 (57)摘要 本申请公开了一种三氧化钼纳米片半导体 的制备方法及其应用。本申请制备方法包括，将 α‑MoO 和硫粉加入有机溶剂中混匀，在120‑150 3 ℃反应20‑24h，离心取上层清液避光保存得 MoO QDs溶液 ，干燥 ，得硫化MoO QDs粉末 ；将 3 3‑x MoO3‑xQDs粉末分散水中，制成浆料，涂覆于基板 上，300‑350℃加热1‑2h，获得半导体三氧化钼纳 米片；α‑MoO 和硫粉质量比为1:0 .5‑2。本申请

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