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包括电容器的半导体封装件

2023-07-01 07:10:23 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202010913920.8
  • 公开(公告)日:2025-04-11
  • 公开(公告)号:CN113707645A
  • 申请人:爱思开海力士有限公司
摘要:包括电容器的半导体封装件。一种半导体封装件包括:设置在基板上方的子半导体封装件,子半导体封装件包括:上表面上具有芯片焊盘的子半导体芯片,围绕子半导体芯片的侧表面的模塑层,以及形成在子半导体芯片和模塑层上方的重分布层,重分布层包括重分布导电层,重分布导电层连接至子半导体芯片的芯片焊盘并延伸到模塑层的边缘,同时在其端部具有重分布焊盘;第一子封装件互连器,其连接至重分布焊盘,以电连接子半导体芯片和基板;电容器,其形成在模塑层中,并且包括第一电极、第二电极以及主体部分,第一电极和第二电极具有分别连接至重分布导电层的上表面。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707645 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202010913920.8 (22)申请日 2020.09.03 (30)优先权数据 10-2020-0061540 2020.05.22 KR (71)申请人 爱思开海力士有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 严柱日 朴真敬 裵汉俊  (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 代理人 刘久亮 黄纶伟 (51)Int.Cl. H01L 23/64 (2006.01) H01L 25/16 (2006.01) H01L 23/31 (2006.01) 权利要求书3页 说明书15页 附图16页 (54)发明名称 包括电容器的半导体封装件 (57)摘要 包括电容器的半导体封装件。一种半导体封 装件包括:设置在基板上方的子半导体封装件, 子半导体封装件包括:上表面上具有芯片焊盘的 子半导体芯片,围绕子半导体芯片的侧表面的模 塑层,以及形成在子半导体芯片和模塑层上方的 重分布层,重分布层包括重分布导电层,重分布 导电层连接至子半导体芯片的芯片焊盘并延伸 到模塑层的边缘,同时在其端部具有重分布焊 盘;第一子封装件互连器,其连接至重分布焊盘, 以电连接子半导体芯片和基板;电容器,其形成 在模塑层中,并且包括第一电极、第二电极以及 主体部分,第一电极和第二电极具有分别连接至 A 重分布导电层的上表面。

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