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用于制造电子芯片的方法

2023-06-11 12:29:01 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202011414601.9
  • 公开(公告)日:2024-09-10
  • 公开(公告)号:CN112908935A
  • 申请人:意法半导体(图尔)公司
摘要:本公开的实施例涉及一种用于制造电子芯片的方法。一种用于制造电子芯片的方法,包括:在半导体基底的顶面侧上形成使所述集成电路横向地分隔的沟槽,多个集成电路已经被形成在半导体基底中以及该半导体基底上;在基底的顶面侧上每集成电路沉积至少一个金属连接柱,以及沉积在沟槽中和在集成电路的顶面上延伸的保护树脂。方法还包括从保护树脂的顶面形成被跨沟槽定位的开口,并且开口在大于或者等于沟槽的宽度的宽度上延伸,以便清理出每个集成电路的至少一个金属柱的侧翼。通过切割使集成电路分隔成单独的芯片。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908935 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202011414601.9 (22)申请日 2020.12.03 (30)优先权数据 1913746 2019.12.04 FR (71)申请人 意法半导体(图尔)公司 地址 法国图尔 (72)发明人 L ·法卢尔 C ·赛里  (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 罗利娜 (51)Int.Cl. H01L 21/78 (2006.01) H01L 21/56 (2006.01) H01L 21/60 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图15页 (54)发明名称 用于制造电子芯片的方法 (57)摘要 本公开的实施例涉及一种用于制造电子芯 片的方法。一种用于制造电子芯片的方法,包括: 在半导体基底的顶面侧上形成使所述集成电路 横向地分隔的沟槽,多个集成电路已经被形成在 半导体基底中以及该半导体基底上;在基底的顶 面侧上每集成电路沉积至少一个金属连接柱,以 及沉积在沟槽中和在集成电路的顶面上延伸的 保护树脂。方法还包括从保护树脂的顶面形成被 跨沟槽定位的开口,并且开口在大于或者等于沟 槽的宽度的宽度上延伸,以便清理出每个集成电 路的至少一个金属柱的侧翼。通过切割使集成电 路分隔成单独的芯片。 A 5 3 9 8 0 9 2 1 1 N C CN 1

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