一种在硅基底上制备栅线的方法2024
- 申请专利号:CN202410043977.5
- 公开(公告)日:2024-10-29
- 公开(公告)号:CN117790603A
- 申请人:云南师范大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117790603 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202410043977.5 (22)申请日 2024.01.11 (71)申请人 云南师范大学 地址 650500 云南省昆明市呈贡区聚贤街 768号 (72)发明人 杨雯 杨培志 袁岳 杨启明 孟广昊 王琴 (74)专利代理机构 西安研实知识产权代理事务 所(普通合伙) 61300 专利代理师 罗磊 (51)Int.Cl. H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种在硅基底上制备栅线的方法 (57)摘要 本发明涉及太阳电池技术领域,具体涉及一 种在硅基底上制备栅线的方法,包括步骤:确定 区域、表面处理、光刻和显影、金属沉积、去除光 刻胶等步骤。其中,在确定区域步骤中,确定核心 区域和非核心区域;在表面处理步骤中,处理硅 基底的表面,使得核心区域的润湿性低、非核心 区域的润湿性高。在甩胶时,核心区域的胶厚,非 核心区域的胶薄。光刻等一些列操作后,在核心 区域形成高分辨率的栅线,在非核心区域形成较 低分辨率的栅线,满足了实际需求,但是减少了 光刻胶的用量,节约了成本,在太阳电池技术领 域具有良好的应用前景。 A 3 0 6 0 9 7 7 1 1 N C CN 1177