一种在硅基底上制备栅线的方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117790603 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202410043977.5 (22)申请日 2024.01.11 (71)申请人 云南师范大学 地址 650500 云南省昆明市呈贡区聚贤街 768号 (72)发明人 杨雯　杨培志　袁岳　杨启明　 孟广昊　王琴　 (74)专利代理机构 西安研实知识产权代理事务 所(普通合伙) 61300 专利代理师 罗磊 (51)Int.Cl. H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种在硅基底上制备栅线的方法 (57)摘要 本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一 种在硅基底上制备栅线的方法，包括步骤：确定 区域、表面处理、光刻和显影、金属沉积、去除光 刻胶等步骤。其中，在确定区域步骤中，确定核心 区域和非核心区域；在表面处理步骤中，处理硅 基底的表面，使得核心区域的润湿性低、非核心 区域的润湿性高。在甩胶时，核心区域的胶厚，非 核心区域的胶薄。光刻等一些列操作后，在核心 区域形成高分辨率的栅线，在非核心区域形成较 低分辨率的栅线，满足了实际需求，但是减少了 光刻胶的用量，节约了成本，在太阳电池技术领 域具有良好的应用前景。 A 3 0 6 0 9 7 7 1 1 N C CN 1177