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发明

一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用

2023-06-11 13:13:20 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310162514.6
  • 公开（公告）日：2025-01-10
  • 公开（公告）号：CN116240632A
  • 申请人：山东大学
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用。本发明利用铝、氮元素构成的化合物或固溶体作为一类掺杂源和其它p型掺杂源作为二类掺杂源来进行Al‑N共掺。进一步的，在SiC粉料区中放置AlN材料作为一类掺杂源，使其分解时提供相同摩尔比的Al原子和N原子，进而实现N源与Al源同步释放，起到维持重掺杂晶体的单一晶型；放置Al4C3、Al2O3、Al等作为二类掺杂源，来提供额外的Al元素来实现n[Al]:n[N]在1.2～3.0的范围内，保证生长的晶体是单一晶型的p型SiC。得到p型SiC单晶具有Al掺杂浓度不低于7×1019cm‑3、电阻率不高于0.200Ω·cm、摇摆曲线半峰宽不超过60弧秒中的一个或多个特征，可应用于智能电网、光伏发电、大功率电力电子器件等领域。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116240632 A (43)申请公布日 2023.06.09 (21)申请号 202310162514.6 (22)申请日 2023.02.23 (71)申请人 山东大学 地址 250100 山东省济南市历城区山大南 路27号 (72)发明人 谢雪健　仲光磊　陈秀芳　徐现刚　 (74)专利代理机构 济南圣达知识产权代理有限 公司 37221 专利代理师 郑平 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应 用 (57)摘要 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种 重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用。本发明 利用铝、氮元素构成的化合物或固溶体作为一类 掺杂源和其它p型掺杂源作为二类掺杂源来进行 Al‑N共掺。进一步的 ，在SiC粉料区中放置AlN材 料作为一类掺杂源，使其分解时提供相同摩尔比 的Al原子和N原子 ，进而实现N源与Al源同步释 放，起到维持重掺杂晶体的单一晶型；放置 Al C 、Al O 、Al等作为二类掺杂源 ，来提供额外 4 3 2 3 的Al元素来实现n[Al]:n[N]在1.2～3.0的范围 内，保证生长的晶体是单一晶型的p型SiC。得到p 19 ‑3 A

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