电吸收调制器激光器及其制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117394138 A (43)申请公布日 2024.01.12 (21)申请号 202311285162.X (22)申请日 2023.10.07 (71)申请人 武汉云岭光电股份有限公司 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开 发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂 房102室 (72)发明人 韩宇　 (74)专利代理机构 北京汇泽知识产权代理有限 公司 11228 专利代理师 张小丽 (51)Int.Cl. H01S 5/12 (2021.01) H01S 5/026 (2006.01) H01S 5/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 电吸收调制器激光器及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及芯片技术领域，提供了一种电吸 收调制器激光器的制备方法，包括S1，经过掩膜、 生长和刻蚀，在EAM区出光端形成窗口结构；S2， 接着继续进行掩膜和刻蚀，制作深隔离沟槽；S3， 接着再经过掩膜和刻蚀后，开电注入窗口，其中 EAM窗口结构不开电注入窗口；S4，在LD区和EAM 区制作电极，其中EAM窗口结构不做电极；S5，电 极制作完毕后，解个成单个电吸收调制器激光器 芯片。还提供一种电吸收调制器激光器，包括DFB 激光器和EAM电吸收调制器，DFB激光器脊波导或 隔离区两侧设有深隔离沟槽，EAM电吸收调制器 出光端制作有窗口结构。本发明在DFB