一种区熔法制备高纯铟的装置

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116287792 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310255330.4 (22)申请日 2023.03.14 (71)申请人 武汉拓材科技有限公司 地址 436000 湖北省鄂州市葛店开发区光 谷联合科技城C3-3栋 (72)发明人 卢鹏荐　曾小龙　张林　范晨光　 袁珊珊　 (74)专利代理机构 武汉天领众智专利代理事务 所(普通合伙) 42300 专利代理师 杨建军 (51)Int.Cl. C22B 58/00 (2006.01) C22B 9/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种区熔法制备高纯铟的装置 (57)摘要 本发明提出了一种区熔法制备高纯铟的装 置，包括中空壳体以及处于中空壳体侧壁的进气 口和出气口 ，所述中空壳体内还设有石墨料舟， 石墨料舟通过加热组件进行加热，所述石墨料舟 为两端封顶端开口的U型槽状结构，所述石墨料 舟的U型槽内壁均布若干气孔，所述气孔通过石 墨料舟内的气道连通至进气管，所述进气管连接 至进气口。本发明将蒸馏法制备的3～4N铟作为 原料，可以很好的除去其中的杂质相Fe、Co、Ni、 Cu等，得到纯度为6～8N的铟。 A 2 9 7 7 8 2 6 1 1 N C CN 116287792 A 权　利　要　求　书