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PCT发明

单晶硅晶圆的制造方法及单晶硅晶圆

2023-04-22 08:55:27 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202080028464.7
  • 公开（公告）日：2024-11-29
  • 公开（公告）号：CN113906171A
  • 申请人：信越半导体株式会社
摘要：本发明为单晶硅晶圆的制造方法，其为适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法，其中，通过使用氧浓度为12ppma(JEITA)以上的NV区域的单晶硅晶圆，并进行含氮氛围下且温度为1225℃以上的RTA处理、镜面抛光加工处理及BMD形成热处理，从而制造自单晶硅晶圆的表面起至少依次具有厚度为5～12.5μm的DZ层、及位于该DZ层正下方且BMD密度为1×1011/cm3以上的BMD层的单晶硅晶圆。由此，提供一种适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法，该单晶硅晶圆能够在形成器件时在表层部正下方吸收硅晶圆表面受到的应力，用BMD层吸收应变引起的缺陷，可提升器件形成区域的强度并抑制表层中的位错的产生、伸长。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113906171 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202080028464.7 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 (22)申请日 2020.02.05 代理人 张晶　谢顺星 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2019-077651 2019.04.16 JP C30B 33/02 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 21/322 (2006.01) 2021.10.13 C30B 29/06 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2020/004397 2020.02.05 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/213230 JA 2020.10.22 (71)申请人 信越半导体株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 曲伟峰　井川

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