一种集成电路用金属碱性蚀刻液及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116103655 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202211669648.9 (22)申请日 2022.12.25 (71)申请人 江苏中德电子材料科技有限公司 地址 214400 江苏省无锡市江阴市高新区 科达路33号 (72)发明人 戈烨铭　何珂　郑武　 (74)专利代理机构 江阴市轻舟专利代理事务所 (普通合伙) 32380 专利代理师 江霞 (51)Int.Cl. C23F 1/34 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 (54)发明名称 一种集成电路用金属碱性蚀刻液及其制备 方法 (57)摘要 本发明涉及一种集成电路用的用于蚀刻铜 的碱性蚀刻液，其包含氯化铜、乙醇胺和水；更特 别地，涉及一种集成电路用的用于蚀刻铜的碱性 蚀刻液，其包含氯化铜、乙醇胺、β‑丙氨酸和水， 其中乙醇胺与 β‑丙氨酸在碱性蚀刻液中的比例 为12:1至8:1，优选为10:1。 A 5 5 6 3 0 1 6 1 1 N C CN 116103655 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种集成电路用的用于蚀刻铜的碱性蚀刻液，其包含氯化铜、乙醇胺和水。 2.权利要求1的碱性蚀刻液，其还包含β‑丙氨酸，其中乙醇胺与β‑丙氨酸在