一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116121847 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202310206227.0 (22)申请日 2023.03.02 (71)申请人 中南大学 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南 路932号 (72)发明人 田庆华　何志强　许志鹏　郭学益　 (74)专利代理机构 长沙星耀专利事务所(普通 合伙) 43205 专利代理师 赵雪钰　宁星耀 (51)Int.Cl. C30B 13/28 (2006.01) C30B 13/30 (2006.01) C30B 13/16 (2006.01) C30B 13/32 (2006.01) C01B 19/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置 (57)摘要 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置， 区熔过程的气氛为氢气气氛或氢气和惰性气体 混合气氛 ；沿碲锭长度方向依次设置三个加热 器，位于两侧的加热器的加热温度为630℃‑660 ℃，位于中间的加热器的加热温度为680℃‑710 ℃；采用根据区熔次数改变熔区移动速率。本发 明还包括所述实施区熔制备超高纯碲的方法的 生产装置，本发明采用变熔区移动速率的操作方 式，提高了碲区熔过程中杂质的脱除效率，同时 缩短了提纯周期。产品纯度达到7N碲标准 ；在该 区熔过