原创力.专利
发明
一种基于多级树状叉指结构的三维电容器2026
2026-03-25 12:02:31
发布于四川
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- 申请专利号：CN202511929528.1
- 公开（公告）日：2026-03-24
- 公开（公告）号：CN121728784A
- 申请人：无锡缶英微电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种基于多级树状叉指结构的三维电容器，其包括：硅衬底，其中所述硅衬底表面开设有硅槽，硅槽内表面及其邻近的硅衬底表面至少设置有第一电极层、第二电极层及将第一电极层和第二电极层隔开的介质层，第一电极层、第二电极层和介质层形成深沟槽结构；硅衬底上形成多个主叉指，其中多个所述主叉指相间隔设置；硅衬底上的形成多个子叉指，其中所述子叉指交错连接于所述主叉指上，所述主叉指与所述子叉指具有一定的夹角，所述夹角小于90°，主叉指和子叉指均是在硅衬底表面刻蚀硅槽形成的叉指；所述主叉指和所述子叉指形成多级树状叉指结构。其多级分支在有限空间内实现了电极面积的指数级增长，消除了分形曲线带来的电场集中和工艺不均问题。
专利内容
本发明公开了一种基于多级树状叉指结构的三维电容器，其包括：硅衬底，其中所述硅衬底表面开设有硅槽，硅槽内表面及其邻近的硅衬底表面至少设置有第一电极层、第二电极层及将第一电极层和第二电极层隔开的介质层，第一电极层、第二电极层和介质层形成深沟槽结构；硅衬底上形成多个主叉指，其中多个所述主叉指相间隔设置；硅衬底上的形成多个子叉指，其中所述子叉指交错连接于所述主叉指上，所述主叉指与所述子叉指具有一定的夹角，所述夹角小于90°，主叉指和子叉指均是在硅衬底表面刻蚀硅槽形成的叉指；所述主叉指和所述子叉指形成多级树状叉指结构。其多级分支在有限空间内实现了电极面积的指数级增长，消除了分形曲线带来的电场集中和工艺不均问题。H10D1/68(2025.01)
