发明

一种低温快烧全抛结晶釉、包含该全抛结晶釉的艺术岩板及制备方法

2023-12-10 07:00:05 发布于四川 7
  • 申请专利号:CN202210582004.X
  • 公开(公告)日:2023-12-08
  • 公开(公告)号:CN115010367A
  • 申请人:蒙娜丽莎集团股份有限公司
摘要:本发明涉及一种低温快烧全抛结晶釉、包含该全抛结晶釉的艺术岩板及制备方法,属于陶瓷建材领域。所述低温快烧全抛结晶釉的原料组成包括:以质量百分比计,结晶抛釉90‑99%,引晶干粒0.5‑5.0%,熔块0.5‑5.0%;所述引晶干粒的化学组成包括:以质量百分比计,Na2O:5.0‑8.0%;SiO2:20‑40%;Al2O3:5.0‑10%;ZnO:30‑60%;TiO2:1.0‑8.0%。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115010367 A (43)申请公布日 2022.09.06 (21)申请号 202210582004.X (22)申请日 2022.05.26 (71)申请人 蒙娜丽莎集团股份有限公司 地址 528211 广东省佛山市南海区西樵轻 纺城工业园 (72)发明人 刘一军 汪庆刚 庞伟科 杨元东  邓来福 潘岳  (74)专利代理机构 上海瀚桥专利代理事务所 (普通合伙) 31261 专利代理师 曹芳玲 郑优丽 (51)Int.Cl. C03C 8/02 (2006.01) C03C 8/14 (2006.01) C04B 41/89 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种低温快烧全抛结晶釉、包含该全抛结晶 釉的艺术岩板及制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种低温快烧全抛结晶釉、包含 该全抛结晶釉的艺术岩板及制备方法,属于陶瓷 建材领域。所述低温快烧全抛结晶釉的原料组成 包括:以质量百分比计,结晶抛釉90‑99%,引晶干 粒0.5‑5.0%,熔块0.5‑5.0%;所述引晶干粒的化 学组成包括:以质量百分比计,Na O:5.0‑8.0%; 2 SiO :20‑40%;Al O :5.0‑10%;ZnO:30‑60%;TiO : 2 2 3

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