半导体结构

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927473 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210237902.1 (22)申请日 2022.03.11 (30)优先权数据 17/226,896 2021.04.09 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 刘格成　郑铭龙　刘昌淼　 (74)专利代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 专利代理师 聂慧荃 (51)Int.Cl. H01L 21/8234 (2006.01) H01L 27/088 (2006.01) 权利要求书1页 说明书16页 附图91页 (54)发明名称 半导体结构 (57)摘要 一种半导体结构，包含从基板突出的半导体 鳍片、与半导体鳍片相邻且大致上平行设置的介 电鳍片、设置于半导体鳍片中的外延源极/漏极 (S/D)部件、设置于外延S/D部件的侧壁与介电鳍 片的侧壁之间的介电层、以及设置于介电层中的 气隙。 A 3 7 4 7 2 9 4 1 1 N C CN 114927473 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种半导体结构，包括： 一半导体鳍片，从一基板突出； 一介电鳍片，与该半导体鳍片相邻且大致上平行设置； 一外延源极/漏极部件，设置于该半导体鳍片中；