发明

一种在空心微珠表面原位生长碳纳米管的混合增强体的低温制备方法2024

2023-12-17 07:18:28 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311241836.6
  • 公开(公告)日:2024-07-05
  • 公开(公告)号:CN117187776A
  • 申请人:哈尔滨工业大学
摘要:一种在空心微珠表面原位生长碳纳米管的混合增强体的低温制备方法,涉及一种铝基复合材料用增强体的方法。为了解决碳纳米管在铝基复合泡沫中难以均匀分散、空心球和碳纳米管难以同时引入到铝基复合泡沫中的问题。将空心球放到催化剂溶液中搅拌,然后在管式炉中进行还原得到表面包覆催化剂颗粒的空心球,放入管式炉中加热并通入碳源和氢气,开启射频电源进行原位CNTs沉积。本发明采用多元催化剂以及辉光放电产生离子体将CNTs的生长温度降低防止温度过高导致空心球熔化,避免损失空心结构,在玻璃微珠表面原位生成CNTs碳管质量可控缺陷较少。实现了空心球和碳纳米管同时引入铝基复合泡沫中和碳纳米管在铝基复合泡沫中的均匀分散。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117187776 A (43)申请公布日 2023.12.08 (21)申请号 202311241836.6 C23C 16/02 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2023.09.25 B82Y 30/00 (2011.01) (71)申请人 哈尔滨工业大学 C01B 32/162 (2017.01) 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西 C22C 1/08 (2006.01) 大直街92号 (72)发明人 张强 孙凯 卫国梁 邵溥真  武高辉 卫增岩 陈国钦 修子扬  姜龙涛  (74)专利代理机构 哈尔滨市松花江联合专利商 标代理有限公司 23213 专利代理师 高志光 (51)Int.Cl. C23C 16/26 (2006.01) C23C 16/505 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) 权利要

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