发明

一种高零应力温度点的ZTA复合陶瓷及其制备方法2025

2023-09-11 07:14:19 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310697981.9
  • 公开(公告)日:2025-04-08
  • 公开(公告)号:CN116715510A
  • 申请人:中国国检测试控股集团股份有限公司|||中国建筑材料科学研究总院有限公司
摘要:本发明公开了一种高零应力温度点的ZTA复合陶瓷及其制备方法,属于陶瓷基复合材料制备技术领域。本发明采用特定配比的蓝晶石和堇青石混合粉体为涂层,ZTA陶瓷为基体,通过“涂层法”在ZTA胚体上涂覆一定厚度的涂层,同温共烧后,制得一种零应力温度点更高的ZTA复合陶瓷。本发明制备的ZTA复合陶瓷,具有常温力学性能优良、高温性能较好,且高温工作区间更广等优点,且本发明的制备方法简单、成本低廉,增强效果明显,具有较好的高温服役性能,适用于工业化生产。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116715510 A (43)申请公布日 2023.09.08 (21)申请号 202310697981.9 (22)申请日 2023.06.13 (71)申请人 中国国检测试控股集团股份有限公 司 地址 100024 北京市朝阳区管庄东里1号 申请人 中国建筑材料科学研究总院有限公 司 (72)发明人 李海燕 万德田 张磊 田远  付帅 包亦望  (74)专利代理机构 北京恩赫律师事务所 11469 专利代理师 刘守宪 (51)Int.Cl. C04B 35/10 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 41/87 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种高零应力温度点的ZTA复合陶瓷及其制 备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高零应力温度点的ZTA复 合陶瓷及其制备方法,属于陶瓷基复合材料制备 技术领域。本发明采用特定配比的蓝晶石和堇青 石混合粉体为涂层,ZTA陶瓷为基体,通过“涂层 法”在ZTA胚体上涂覆一定厚度的涂层,同温共烧 后,制得一种零应力温度点更高的ZTA复合陶瓷。 本发明制备的ZTA复合陶瓷,具有常温力学性能 优良 、高温性能较好,且高温工作区间更广等优 点,且本发明的制备方法简单、成本低廉,增强效 果明显,具有较好的高温服役性能,适用于工业 化生产。

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