区熔法晶体自动化生长装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114197032 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202010979166.8 (22)申请日 2020.09.17 (71)申请人 中国科学院上海光学精密机械研究 所 地址 201800 上海市嘉定区清河路390号 (72)发明人 杭寅　杨依伦　蔡双　何明珠　 潘世烈　朱影　 (74)专利代理机构 上海恒慧知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31317 代理人 张宁展 (51)Int.Cl. C30B 13/28 (2006.01) C30B 29/28 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 区熔法晶体自动化生长装置 (57)摘要 一种区熔法晶体自动化生长装置，主要包括 炉膛、力检测系统、光纤激光器加热系统、温度梯 度调节系统、运动控制系统和计算机控制系统。 晶体生长过程中，通过源棒受力信息的反馈可以 实现对晶体生长直径的自动控制，并对晶体生长 质量进行实时监测；使用光纤激光器加热可以得 到均匀、稳定的熔区；结晶后的晶体随籽晶杆进 入温度梯度调节系统，避免因骤冷产生的缺陷。 A 2 3 0 7 9 1 4 1 1 N C CN 114197032 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种区熔法