一种碳化硅单晶片的镀膜装置与镀膜方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114774879 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210542806.8 (22)申请日 2022.05.19 (71)申请人 富芯微电子有限公司 地址 230000 安徽省合肥市高新区香蒲路 503号 (72)发明人 王全　倪侠　邹有彪　张荣　 徐玉豹　 (74)专利代理机构 合肥正则元起专利代理事务 所(普通合伙) 34160 专利代理师 杨凯 (51)Int.Cl. C23C 16/26 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 一种碳化硅单晶片的镀膜装置与镀膜方法 (57)摘要 本发明公开了一种碳化硅单晶片的镀膜装 置，涉及晶片处理技术领域，镀膜装置包括镀膜 箱体、惰性气体输入组件以及甲烷气体输入组 件，所述镀膜箱体内侧设有镀膜空腔，用于对碳 化硅单晶片进行镀膜处理；还包括定位机构，所 述定位机构布设在镀膜空腔内，用于对晶片进行 定位固定；喷气管以及喷气筒在定位机构周侧布 设有多组，以对晶片全方位喷气镀膜处理，本发 明还公开了一种碳化硅单晶片的镀膜方法，将待 镀膜碳化硅晶片横置在两喷气筒间，当两侧第二 喷气孔在喷射甲烷气体时，甲烷气体可以与碳化 硅晶片上下表面均匀接触，使得甲烷气体在碳化 A 硅晶片表面裂解形成碳膜，稳