一种高摆幅的增益自举反相器及其应用

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114421952 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210071359.2 (22)申请日 2022.01.21 (71)申请人 中国科学院半导体研究所 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35 号 (72)发明人 李文昌　吴鸿昊　 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 代理人 周天宇 (51)Int.Cl. H03K 19/0944 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种高摆幅的增益自举反相器及其应用 (57)摘要 本公开提供了一种高摆幅的增益自举反相 器，包括：级联反相器包括：MOS器件M1、M2、M3及 M4；第一折叠式共源共栅增益自举电路包括：MOS 器件M5、M7、M9及M11；第二折叠式共源共栅增益 自举电路，包括：MOS器件M6、M8、M10及M12；其中， 第一折叠式共源共栅增益自举电路20与M3构成 电流‑电压反馈环路，用于提高M3的输出阻抗；第 二折叠式共源共栅增益自举电路30与M4构成电 流‑电压反馈环路，用于提高M4的输出阻抗。本公 开还提供了一种高摆幅的增益自举反相器在高 精度低功耗sigma‑delta调制器、低电压低功耗 运算放大器、可穿戴设备及RFID上的应用。 A 2 5 9 1 2 4 4 1 1 N C CN 114421952 A