发明

一种半导体用多层密封制品及其制备方法2024

2023-09-24 07:19:44 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310678382.2
  • 公开(公告)日:2024-03-26
  • 公开(公告)号:CN116771918A
  • 申请人:上海芯密科技有限公司
摘要:本发明涉及及层状产品技术领域,属于B32B技术领域,具体涉及一种半导体用多层密封制品包含A层和B层,所述A层截面积占多层密封制品截面积的10‑90%;所述A层的制备原料包括含氟橡胶生胶,B层的制备原料包括全氟醚橡胶生胶;所述B层进行硫化10‑60s后将进行硫化10‑60s的A层进行包裹,再进行加压压实得到压合物,将压合物进行硫化成型得到半导体用多层密封制品,所述半导体用多层密封制品的截面为圆形。本发明中通过限定A层截面积占多层密封制品截面积的多少,改善了因频繁更换密封制品而提高使用成本的问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116771918 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202310678382.2 B29D 99/00 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) (22)申请日 2023.06.08 (71)申请人 上海芯密科技有限公司 地址 200120 上海市浦东新区中国(上海) 自由贸易试验区临港新片区江山路 2699弄13号厂房一楼南区 (72)发明人 李宏 陈欢 程庆魁 谢昌杰  (74)专利代理机构 上海微策知识产权代理事务 所(普通合伙) 31333 专利代理师 吕姿颖 (51)Int.Cl. F16J 15/10 (2006.01) C08L 27/12 (2006.01) C08K 7/26 (2010.01) C08L 29/10 (2006.01) 权利要求书1页 说明书15页 附图1页 (54)发明名称 一种半导体用多层密封制品及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及及层状产品技术领域,属于B32B 技术领域,具体涉及一种半导体用多层密封制品 包含A层和B层,所述A层截面积占多层密封制品 截面积的10‑90%;所述A层的制备原料包括含氟 橡胶生胶,B层的制备原料包括全氟醚橡胶生胶; 所述B

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