一种多级大面积低温等离子体射流发生装置2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117082712 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202311002531.X (22)申请日 2023.08.09 (71)申请人 武汉芙丽雅电子科技有限公司 地址 430073 湖北省武汉市东湖新技术开 发区光谷大道特1号国际企业中心2栋 5层05号03室 (72)发明人 郭啸龙　刘云龙　 (74)专利代理机构 武汉蓝宝石专利代理事务所 (特殊普通合伙) 42242 专利代理师 方菲 (51)Int.Cl. H05H 1/26 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图6页 (54)发明名称 一种多级大面积低温等离子体射流发生装 置 (57)摘要 本发明涉及一种多级大面积低温等离子体 射流发生装置，包括喷头外盖、基座，喷头外盖与 基座相连形成气流集束腔及气流分散腔结构，气 流分散腔包括第一级气流分散腔、第二级气流分 散腔，气流集束腔包括第一级气流集束腔、第二 级气流集束腔、第三级气流集束腔，基座一端设 置有第一贯穿孔，基座另一端设置有不同直径的 第二贯穿孔、第三贯穿孔，基座两端之间空间形 成第一级气流分散腔结构，基座一端与喷头外盖 之间形成有第二级气流分散腔结构，喷头外盖上 部设置有第四贯穿孔，第二贯穿孔、第三贯穿孔、 A 第四贯穿孔分别形成第一级气流集束腔、第二级 2 气流集束腔、第三级气流集束腔结构，可缩小等 1 7 2 离子体射流之间距离，产生大