高导电、高强度金属化碳纳米管薄膜及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115787008 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211656286.X (22)申请日 2022.12.22 (71)申请人 江西省纳米技术研究院 地址 330000 江西省南昌市南昌县小蓝经 济技术开发区罗珠路278号 (72)发明人 吕卫帮　杨文刚　席佳琦　曲抒旋　 张永毅　邸江涛　刘美男　 (74)专利代理机构 南京利丰知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 32256 专利代理师 王茹 (51)Int.Cl. C25D 3/38 (2006.01) C25D 5/10 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图1页 (54)发明名称 高导电、高强度金属化碳纳米管薄膜及其制 备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高导电、高强度金属化碳 纳米管薄膜及其制备方法。所述制备方法包括： 提供原始的碳纳米管薄膜，对所述碳纳米管薄膜 依次进行氧化处理、敏化处理和活化处理，从而 在原始的碳纳米管薄膜表面形成钯过渡层；在具 有钯过渡层的碳纳米管薄膜上形成铜层，制得高 导电、高强度金属化碳纳米管薄膜。所述高导电、 高强度金属化碳纳米管薄膜包括依次设置的碳 纳米管薄膜、钯过渡层和铜层。本发明提供的方 法在碳纳米管薄膜上引入了钯过渡层，进一步提 高了碳纳米管与铜的界面结合，有效降低了接触 A 电阻，所制备的金属化碳纳米管薄膜的比电导率 8 更高，并且具有优