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PCT发明

等离子体处理装置以及等离子体处理方法

2022-10-24 10:22:15 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202080004065.7
  • 公开（公告）日：2025-10-14
  • 公开（公告）号：CN115004863A
  • 申请人：株式会社日立高新技术
摘要：在由等离子体处理装置进行的晶片处理时，为了抑制第一高频电力经由等离子体而向第二高频电源的输出线绕入的情况，等离子体处理装置具备：处理室，其对样品进行等离子体处理；样品台，其具备第一电极和配置于第一电极的外侧的第二电极且载置样品；第一高频电源，其经由第一匹配器以及第一传输路径而向第一电极供给第一高频电力；以及第二高频电源，其经由第二匹配器以及第二传输路径而向第二电极供给第二高频电力，所述等离子体处理装置还具备控制装置，所述控制装置控制第一高频电源，以使得在第二匹配器的预设值为规定值的情况下，向样品台供给第一高频电力，规定值是使第二传输路径的阻抗成为高频电力不被第二匹配器检测出的阻抗的值。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115004863 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202080004065.7 (51)Int.Cl. H05H 1/46 (2006.01) (22)申请日 2020.02.07 H01L 21/3065 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2021.01.20 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2020/004764 2020.02.07 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/157051 JA 2021.08.12 (71)申请人 株式会社日立高新技术 地址 日本东京都 (72)发明人 铃木达也　樫部诚　 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 专利代理师 刘影娜 权利要求书2页 说明书13页 附图13页 (54)发明名称 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 (57)摘要 在由等离子体处理装置进行的晶片处理时， 为了抑制第一高频电力经由等离子体而向第二 高频电源的输出线绕入的情况，等离子体处理装 置具备：处理室，其对样品进行等离子体处理；样 品台，其具备第一电极和配置于第一电极的外侧 的第二电极

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