一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114892138 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210399726.1 (22)申请日 2022.04.15 (71)申请人 上海积塔半导体有限公司 地址 201306 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区临港新片区云水路 600号 (72)发明人 刘金营　 (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 专利代理师 余明伟 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方 法 (57)摘要 本发明提供一种磁控溅射沉积装置及磁控 溅射沉积方法，磁控溅射沉积装置中包括沉积腔 室、靶材、磁控管及晶圆基座，沉积腔室的侧壁设 置有靶材入口及靶材出口；靶材自靶材入口送入 沉积腔室，以在沉积腔室的顶侧设置靶材，且通 过靶材的运行，将靶材自靶材出口移出沉积腔 室，以改变靶材在沉积腔室中的位置；磁控管位 于沉积腔室中的靶材的上方，用于提供磁场；晶 圆基座位于沉积腔室的底部，并与靶材相对设 置，用于放置待沉积的晶圆。本发明在进行磁控 溅射沉积时，可通过靶材的运行，改变靶材在沉 A 积腔室中的位置，以提升靶材消耗的均匀性，从 8 而可提高磁控溅射沉积的均匀性，达到均匀溅射 3 1 2 的目的，