DAST薄膜作为有机热释电材料的应用及其制备方法
- 申请专利号:CN202310166576.4
- 公开(公告)日:2025-04-25
- 公开(公告)号:CN116621468A
- 申请人:电子科技大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116621468 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310166576.4 H10N 10/856 (2023.01) H10N 10/01 (2006.01) (22)申请日 2023.02.27 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731 四川省成都市高新区(西区) 西源大道2006号 (72)发明人 许向东 李双青 张敏刚 胡文杰 蒋亚东 唐佳辉 时友水 孙瑞良 张丰尧 (74)专利代理机构 电子科技大学专利中心 51203 专利代理师 甘茂 (51)Int.Cl. C03C 17/42 (2006.01) C03C 17/38 (2006.01) C03C 17/36 (2023.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 DAST薄膜作为有机热释电材料的应用及其 制备方法 (57)摘要 本发明属于热释电材料相关领域,具体提供 一种DAST薄膜作为有机热释电材料的应用及其 制备方法,用以提高有机热释电材料的热释电系 数。本发明采用旋涂和喷涂相结合的方法制备 DAST(4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯 磺酸盐)有机薄膜,并进行退火和极
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