氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113774484 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202111069487.5 (22)申请日 2021.09.13 (71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心 地址 310000 浙江省杭州市萧山区市心北 路99号5楼 (72)发明人 张辉　马可可　夏宁　王嘉斌　 刘莹莹　杨德仁　 (74)专利代理机构 杭州五洲普华专利代理事务 所(特殊普通合伙) 33260 代理人 姚宇吉 (51)Int.Cl. C30B 29/16 (2006.01) C30B 15/12 (2006.01) C30B 17/00 (2006.01) C30B 11/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的 组合坩埚 (57)摘要 本发明提供了一种氧化镓晶体生长方法及 生长氧化镓晶体的组合坩埚，涉及氧化镓晶体生 长的技术领域，通过采用组合坩埚来制备氧化镓 晶体，使氧化镓熔体和铱金坩埚不直接接触，避 免铱元素进入氧化镓熔体从而影响氧化镓晶体 质量的问题，通过抽空炉内原本气体并充入保护 性气体来抑制氧化镓的高温分解，同时也解决了 采用铱金坩埚进行氧化镓晶体生长时，坩埚的侧 壁和底部会出现密集腐蚀坑，导致铱金坩埚损耗 严重的问题，最后制得的氧化镓单晶呈透明状，