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发明

射频开关芯片、射频开关及电子设备

2023-07-23 07:00:03 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202210629652.6
  • 公开（公告）日：2023-07-21
  • 公开（公告）号：CN115001470A
  • 申请人：深圳市泰高技术有限公司
摘要：本发明公开了一种射频开关芯片、射频开关及电子设备，该射频开关芯片包括衬底层、第一过渡层、第二过渡层、迁移主体层及栅极，第一过渡层设在衬底层上；第二过渡层设在第一过渡层上；迁移主体层设在第二过渡层上，迁移主体层具有用于外接电路的源极和漏极，且源极与漏极之间构造有能够被连通或断开的连接通道；栅极设在迁移主体层上；当栅极处于初始状态时，连接通道被断开以迫使源极与漏极相互断开；当栅极处于通电状态时，连接通道被连通以迫使源极与漏极相互导通。本发明能够在实际应用中进行射频信号切换时无需中断射频信号就能切换，使得外围电路更简单，并且插入损耗更低，开关时间更短。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115001470 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202210629652.6 (22)申请日 2022.06.02 (71)申请人 深圳市泰高技术有限公司 地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街 道平山社区平山一路2号南山云谷创 业园二期9栋409 (72)发明人 不公告发明人　 (74)专利代理机构 深圳驿航知识产权代理事务 所(普通合伙) 44605 专利代理师 杨伦 (51)Int.Cl. H03K 17/687 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图8页 (54)发明名称 射频开关芯片、射频开关及电子设备 (57)摘要 本发明公开了一种射频开关芯片、射频开关 及电子设备，该射频开关芯片包括衬底层、第一 过渡层、第二过渡层、迁移主体层及栅极，第一过 渡层设在衬底层上；第二过渡层设在第一过渡层 上；迁移主体层设在第二过渡层上，迁移主体层 具有用于外接电路的源极和漏极，且源极与漏极 之间构造有能够被连通或断开的连接通道；栅极 设在迁移主体层上；当栅极处于初始状态时，连 接通道被断开以迫使源极与漏极相互断开；当栅 极处于通电状态时，连接通道被连通以迫使源极 与漏极相互导通。本发明能够在实际应用中进行 射频信号切换时无需中断射频信号就能切换，使 A 得外围电路更简单，并且插入损耗更低，开关时 0 间更短。 7 4 1 0 0 5 1 1

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