自激非零位振荡高功率脉冲技术制备3D网络互穿二硫化钼薄膜的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115786848 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211558856.1 (22)申请日 2022.12.06 (71)申请人 中国科学院兰州化学物理研究所 地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中 路18号 (72)发明人 张斌　高海洋　高凯雄　张俊彦　 (74)专利代理机构 兰州智和专利代理事务所 (普通合伙) 62201 专利代理师 张英荷 (51)Int.Cl. C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 自激非零位振荡高功率脉冲技术制备3D网 络互穿二硫化钼薄膜的方法 (57)摘要 本发明公开了一种利用自激非零位振荡高 功率微脉冲磁控溅射技术制备3D网络互穿二硫 化钼薄膜的方法，属于真空镀膜技术领域和摩擦 学领域。本发明采用真空自激非零位振荡高功率 微脉冲磁控溅射技术，在基材表面沉积依次沉积 TiN过渡层和3D网络互穿二硫化钼薄膜。TiN过渡 层使得3D网络互穿二硫化钼薄膜与基底具有良 好的结合力，获得的3D网络互穿二硫化钼薄膜具 有高致密度和低缺陷，有效提高了3D网络互穿二 硫化钼薄膜的承载能力和抗磨损性，提升了薄膜 的摩擦寿命，具有优良的摩擦学性能。 A 8 4 8 6 8 7 5 1 1 N C CN 115786848 A