原创力.专利
实用新型
一种提升存储电容容量的阵列基板2024
2024-08-10 13:55:18
发布于四川
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- 申请专利号：CN202323532885.3
- 公开（公告）日：2024-08-09
- 公开（公告）号：CN221508183U
- 申请人：福建华佳彩有限公司
摘要：本实用新型涉及液晶显示器技术领域，提供一种提升存储电容容量的阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，形成栅极；有源层，固定设置在第一绝缘层的上表面，并且位于栅极的正上方；透明导电层，固定设置在第一绝缘层的上表面，还位于栅极的斜侧方；第二金属层，固定设置在第二绝缘层的上表面，形成源极、漏极和TP走线；画素电极，固定设置在第三绝缘层的上表面，还位于透明导电层的正上方；公共电极，固定设置在第四绝缘层的上表面，还位于画素电极的正上方。本实用新型的优点在于：透明导电层与画素电极形成新的储存电容，提升储存电容的容量，防止高分辨率液晶显示器的显示画面失真；增加栅极与漏极的间距，减小栅极与漏极的寄生电容。
专利内容
本实用新型涉及液晶显示器技术领域，提供一种提升存储电容容量的阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，形成栅极；有源层，固定设置在第一绝缘层的上表面，并且位于栅极的正上方；透明导电层，固定设置在第一绝缘层的上表面，还位于栅极的斜侧方；第二金属层，固定设置在第二绝缘层的上表面，形成源极、漏极和TP走线；画素电极，固定设置在第三绝缘层的上表面，还位于透明导电层的正上方；公共电极，固定设置在第四绝缘层的上表面，还位于画素电极的正上方。本实用新型的优点在于：透明导电层与画素电极形成新的储存电容，提升储存电容的容量，防止高分辨率液晶显示器的显示画面失真；增加栅极与漏极的间距，减小栅极与漏极的寄生电容。H01L27/12(2006.01);G02F1/1362(2006.01);G02F1/1368(2006.01)
