一种用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116162911 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202310163723.2 (22)申请日 2023.02.24 (71)申请人 安徽光智科技有限公司 地址 239064 安徽省滁州市琅琊经济开发 区南京路100号 (72)发明人 李兆营　朱景春　李萌萌　 (74)专利代理机构 北京天盾知识产权代理有限 公司 11421 专利代理师 肖小龙 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀 性的方法 (57)摘要 本发明提供调试磁控溅射法制备的薄膜均 匀性的方法，包括：S1、准备基底；S2、在基底表面 溅射镀薄膜；S3、测试薄膜电阻均匀性；S4、根据 电阻分布图改变靶基距 ；S5、更换新基底，重复 S2，测试薄膜电阻均匀性；S6、根据S3和S5得的电 阻均匀性、目标电阻均匀性及S4靶基距的调节值 计算出下一次靶基距调节值并调节；S7、重复S5， 若测试电阻均匀性达到目标范围，则终止调节靶 基距；若测试电阻均匀性无法达到目标范围，继 续重复S6和S5，直至确认制备的薄膜电阻均匀达 到目标范围，确定适合的靶基距。该方法简单易 A 行，可在大规模生产薄膜材料前进行调试，在大 1 规模生产时可大幅提高产品均匀性、良率和生产 1 9