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发明

一种半导体硫化物复合纳米纤维膜的制备方法及应用2024

2024-04-16 07:22:52 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202410013992.5
  • 公开（公告）日：2024-10-15
  • 公开（公告）号：CN117867761A
  • 申请人：中南大学
摘要：本发明公开了一种半导体硫化物复合纳米纤维膜的制备方法及应用。本发明以半导体过渡金属硫化物和高分子聚合物为原料，采用静电纺丝法合成了低截留率的半导体硫化物复合纳米纤维膜。通过引入半导体过渡金属硫化物使得高分子聚合物膜的离子截留率降低，易于捕获更多重金属阳离子，用于传感器检测时更为敏感。通过第一碱性溶液对过渡金属硫化物进行预处理能够增加过渡金属硫化物与高分子聚合物材料界面的结合；通过第二碱性溶液对预制纳米纤维膜进行预处理活化纳米纤维能够使其对金属离子响应更为敏感。本发明制备方法科学简单、合理易行、成本低廉，适合于规模化生产。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117867761 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202410013992.5 D01D 5/00 (2006.01) D01F 6/54 (2006.01) (22)申请日 2024.01.04 D01F 1/10 (2006.01) (71)申请人 中南大学 B01D 15/08 (2006.01) 地址 410000 湖南省长沙市岳麓山左家垅 (72)发明人 张福勤　丰雪帆　 (74)专利代理机构 北京保识知识产权代理事务 所(普通合伙) 11874 专利代理师 尹莹莹 (51)Int.Cl. D04H 1/728 (2012.01) D04H 1/43 (2012.01) D04H 1/4318 (2012.01) D04H 1/4326 (2012.01) D04H 1/435 (2012.01) D04H 1/4291 (2012.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种半导体硫化物复合纳米纤维膜的制备

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