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发明

一种MOSFET管开关电路2024

2023-11-16 07:15:17 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310803579.4
  • 公开（公告）日：2024-08-06
  • 公开（公告）号：CN117040514A
  • 申请人：上海格州微电子技术有限公司
摘要：本发明公开一种MOSFET管开关电路，涉及晶体管结构领域，解决的是传统MOSFET管开关电路漏电流、频率受限和稳定性差的问题；一种MOSFET管开关电路，包含栅极、底接区、源区、硅基底片、负载回路、保护电路、智能化控制系统、漏结区、冷却系统和驱动电路；本发明通过设置保护电路确保电路或器件在不良条件下不受损坏或破裂，增强MOSFET管开关电路的可靠性；本发明采用智能化控制系统对MOSFET管开关电路进行远程监控、故障诊断和预测维护，提高开关电路的可靠性和工作效率；本发明通过设置冷却系统降低MOSFET管的工作温度进而降低漏电流的发生；本发明通过设置驱动电路提高开关电路的工作频率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117040514 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202310803579.4 (22)申请日 2023.07.03 (71)申请人 上海格州微电子技术有限公司 地址 201413 上海市浦东新区自由贸易试 验区临港新片区新杨公路1588号4幢 (72)发明人 袁海晶　 (74)专利代理机构 北京鼎德宝专利代理事务所 (特殊普通合伙) 11823 专利代理师 朱姿虹 (51)Int.Cl. H03K 17/687 (2006.01) H03K 17/14 (2006.01) H03K 17/081 (2006.01) G06F 18/23 (2023.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种MOSFET管开关电路 (57)摘要 本发明公开一种MOSFET管开关电路，涉及晶 体管结构领域，解决的是传统MOSFET管开关电路 漏电流、频率受限和稳定性差的问题；一种 MOSFET管开关电路，包含栅极、底接区、源区、硅 基底片、负载回路、保护电路、智能化控制系统、 漏结区、冷却系统和驱动电路；本发明通过设置 保护电路确保电路或器件在不良条件下不受损 坏或破裂，增强MOSFET管开关电路的可靠性；本 发明采用智能化控制系统对MOSFET管开关电路 进行远程监控、故障诊断和预测维护，提高开关 电路的可靠性和工作效率；本发明通过设置冷却 系统降低

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