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发明

一种3D打印成型SiC半导体点火材料及其制备方法2026

2024-03-31 07:40:55 发布于四川 69
  • 申请专利号：CN202311824797.2
  • 公开（公告）日：2026-01-23
  • 公开（公告）号：CN117776729A
  • 申请人：西安交通大学|||陕西航空电气有限责任公司
摘要：本发明涉及航天电推进点火材料制备技术领域，尤其涉及一种3D打印成型SiC半导体点火材料及其制备方法，该方法通过制备复合光敏树脂浆料；制备SiC半导体复合粉末；制备SiC‑光敏树脂复合浆料并添加偶联剂溶液和SA硬质酸，得到复合碳化硅光敏树脂混合浆料；利用3D打印技术将复合碳化硅光敏树脂混合浆料，打印成SiC半导体打印生坯，并将其脱脂，烧结，得到SiC半导体点火材料的制备。该方法采用立体光固化成型工艺代替传统工艺，可实现自动化生产，无需复杂的加工模具，生产周期短，加工成本低，且方法简单，加工更方便，精度高，大幅提高SiC点火材料的生产效益。解决SiC半导体陶瓷部件制备的过程中，生产成本高、周期长、难以自动化的问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117776729 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311824797.2 B33Y 10/00 (2015.01) B33Y 70/10 (2020.01) (22)申请日 2023.12.27 B28B 1/00 (2006.01) (71)申请人 西安交通大学 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西 路28号 申请人 陕西航空电气有限责任公司 (72)发明人 王波　王鹏　余杨　周小楠　 王亚楠　刘荣臻　陈刚锋　王晖　 杨建锋　 (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 专利代理师 张金玲 (51)Int.Cl. C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图3页 (54)发明名称 一种3D打印成型SiC半导体点火材料及其制 备方法 (57)摘要 本发明涉及航天电推进点火材料制备技术 领域，尤其涉及一种3D打印成型SiC半导体点火 材料及其制备方法，该方法通过制备复合光敏树 脂浆料；制备SiC半导体复合粉末；制备Si

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