一种高纯银溅射靶材及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115992342 A (43)申请公布日 2023.04.21 (21)申请号 202211631292.X (22)申请日 2022.12.15 (71)申请人 先导薄膜材料（广东）有限公司 地址 511517 广东省清远市高新区百嘉工 业园27-9号A区 (72)发明人 余恒飞　黄宇彬　毛远兴　祁沛熙　 董小雨　童培云　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 专利代理师 薛梦 (51)Int.Cl. C23C 14/34 (2006.01) C22F 1/14 (2006.01) B21B 3/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种高纯银溅射靶材及其制备方法 (57)摘要 本发明属于溅射靶材技术领域，具体涉及一 种高纯银溅射靶材及其制备方法，本发明通过将 银锭于500℃～900℃均匀化热处理后进行锻造， 将锻造后的银锭于300℃～400℃退火冷却至室 温，再进行冷轧，将冷轧后的靶坯经热处理后冷 却制得高纯银溅射靶材，本发明通过控制制备方 法中的热处理温度、退火温度及冷轧工艺参数如 道次变形量和总变形量，有效细化了高纯银溅射 靶材的晶粒尺寸，使得平均晶粒尺寸＜15μm，低 至8 μm，且组织均匀，内部无缺陷。 A 2 4 3 2 9 9 5 1 1 N C CN 115992