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离子植入系统

2022-10-24 10:20:56 发布于四川 1

申请专利号：CN202080092177.2
公开（公告）日：2024-07-16
公开（公告）号：CN114946276A
申请人：应用材料股份有限公司

摘要：公开一种用于测量及控制进入模拟波形的相位的系统。具体而言，公开一种离子植入系统。所述系统包括：模拟‑数字转换器，将进入模拟波形转换成数字化表示。所述系统还包括：时钟延迟产生器，允许向ADC的取样时钟中引入可编程的延迟量。所述系统还包括：控制器，操纵由时钟延迟产生器使用的延迟并存储来自ADC的输出。控制器然后可使用数字化表示确定进入模拟波形的频率、进入模拟波形的相位漂移及进入模拟波形相对于主时钟的相位。控制器然后可响应于这些确定而修改RF产生器的输出。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114946276 A (43)申请公布日 2022.08.26 (21)申请号 202080092177.2 (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 (22)申请日 2020.12.11 专利代理师马明明　刘芳 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 16/738,021 2020.01.09 US H05H 7/18 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H05H 7/22 (2006.01) 2022.07.07 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2020/064441 2020.12.11 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/141722 EN 2021.07.15 (71)申请人应用材料股份有限公司地址美国加州圣塔克拉尔,鲍尔斯大道 3050号 (72)发明人基斯 ·E ·卡威尔　

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