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发明

一种带隙可调的三元合金LuxIn1-xO材料的制备及其日盲紫外探测器的应用2025

2024-02-15 07:31:59 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202311496617.2
  • 公开（公告）日：2025-08-05
  • 公开（公告）号：CN117535621A
  • 申请人：广东工业大学
摘要：本发明公开了一种带隙可调的三元合金LuxIn1‑xO材料的制备及其日盲紫外探测器的应用。一种带隙可调的三元合金LuxIn1‑xO材料的制备方法，采用磁控溅射的方法制备三元合金LuxIn1‑xO材料，选择氧化铟靶材和氧化镥靶材；所述氧化铟靶材的溅射功率为25‑35W，氧化镥靶材的溅射功率为30‑150W；将Ar以及O2引入设备腔体，室温条件下，在基底上得到LuxIn1‑xO，其中0<x<1。本发明采用磁控共溅射的方法将Lu原子引入In2O3的晶格，实现LuxIn1‑xO(0<x<1)三元合金的带隙在日盲紫外区域的展宽。通过调节氧化镥靶材的溅射功率，可以实现LuxIn1‑xO三元合金薄膜的带隙在3.85到5.2eV范围的连续可调。基于带隙宽度～5.2eV的Lu0.39In0.61O薄膜所构建的Pt/Lu0.39In0.61O/GaN异质结器件，展现了稳定及可靠地日盲紫外探测性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117535621 A (43)申请公布日 2024.02.09 (21)申请号 202311496617.2 (22)申请日 2023.11.10 (71)申请人 广东工业大学 地址 510006 广东省广州市番禺区广州大 学城外环西路100号 (72)发明人 张丹　梁家荣　李伟森　蔡寒　 (74)专利代理机构 广东南北知识产权代理事务 所(普通合伙) 44918 专利代理师 肖湘漓 (51)Int.Cl. C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种带隙可调的三元合金Lu In O材料的 x 1-x 制备及其日盲紫外探测器的应用 (57)摘要 本发明公开了一种带隙可调的三元合金 Lu In O材料的制备及其日盲紫外探测器的应 x 1‑x 用。一种带隙可调的三元合金Lu In O材料的制 x 1‑x 备方法，采用磁控溅射的方法制备三元合金 Lu In O材料，选择氧化铟靶材和氧化镥靶材； x 1‑x 所述氧化铟靶材的溅射功率为25‑35W，氧化镥靶 材

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