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发明

具有高温扩散屏蔽性能的NbTaMoWNx氮化物涂层及其制备方法

2023-04-23 09:27:40 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202111220986.X
  • 公开（公告）日：2024-06-07
  • 公开（公告）号：CN113957385A
  • 申请人：南京理工大学
摘要：本发明公开了一种具有高温扩散屏蔽性能的NbTaMoWNx氮化物涂层及其制备方法。所述方法以NbTaMoW高熵合金为磁控溅射靶材，采用直流磁控溅射方法，在Ar和N2气氛下，制得具有高温扩散屏蔽性能的NbTaMoWNx氮化物涂层。本发明通过直流磁控溅射方法来制备NbTaMoWNx氮化物涂层，工艺简便迅速，重复性好，制得的NbTaMoWNx氮化物涂层为非晶相结构，厚度较小，具有较好的热稳定性、电学性能以及高温扩散屏蔽性能，可以应用在集成电路中作为Cu‑Si器件中的扩散屏蔽层。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113957385 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111220986.X (22)申请日 2021.10.20 (71)申请人 南京理工大学 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200号 (72)发明人 王闻晓　江依诺　刘睿　李建亮　 李航　 (74)专利代理机构 南京理工大学专利中心 32203 代理人 刘海霞 (51)Int.Cl. C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 具有高温扩散屏蔽性能的NbTaMoWN 氮化物 x 涂层及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种具有高温扩散屏蔽性能 的NbTaMoWN 氮化物涂层及其制备方法。所述方 x 法以NbTaMoW高熵合金为磁控溅射靶材，采用直 流磁控溅射方法，在Ar和N 气氛下，制得具有高 2 温扩散屏蔽性能的NbTaMoWN 氮化物涂层。本发 x 明通过直流磁控溅射方法来制备NbTaMoWN

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