半导体结构及其形成方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707719 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202010436510.9 H01L 21/336(2006.01) (22)申请日 2020.05.21 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限 公司 (72)发明人 王彦　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 徐文欣 (51)Int.Cl. H01L 29/78(2006.01) H01L 29/423(2006.01) H01L 21/311(2006.01) 权利要求书3页 说明书11页 附图6页 (54)发明名称 半导体结构及其形成方法 (57)摘要 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包 括：基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结 构包括：栅极层和位于部分栅极层表面的保护 层；位于所述栅极结构两侧的第一侧墙和第二侧 墙，所述第二侧墙位于所述第一侧墙上，所述第 二侧墙的材料和所述保护层的材料不同；位于所 述基底上的介质层，且所述介质层的材料和第二 侧墙的材料不同。所述半导