套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备和存储介质

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114518698 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202210144575.5 (22)申请日 2022.02.17 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发 区空港工业园兴业大道388号 (72)发明人 孙彪　 (74)专利代理机构 北京律智知识产权代理有限 公司 11438 专利代理师 王辉　阚梓瑄 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G03F 9/00 (2006.01) H01L 21/68 (2006.01) 权利要求书3页 说明书16页 附图5页 (54)发明名称 套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备 和存储介质 (57)摘要 本公开是关于一种套刻误差补偿方法、系统 及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉 及半导体生产制造技术领域。该方法包括：确定 组合光刻层组，组合光刻层组包括多个目标光刻 层；对多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处 理，得到多层曝光图形，多个目标光刻层中的初 始图形均具有相同的对准标识；对多层曝光图形 进行套刻精度量测，确定每层曝光图形的套刻量 测误差；根据多个套刻量测误差确定下一批次的 组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据误 差补偿值进行套刻误差补偿。本公开可以利用具 A 有相同对准标识的多道光刻层进行套刻误差补 8 偿行为一致的特点，优化套刻误差补偿方式，