发明

差动放大器

2023-06-17 07:15:06 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202110153510.2
  • 公开(公告)日:2025-11-04
  • 公开(公告)号:CN113258892A
  • 申请人:艾普凌科有限公司
摘要:本发明涉及差动放大器。差动放大器具备:第一导电型的第一及第二MOS晶体管,它们构成差动输入电路;偏置电流源,其使偏置电流流过第一及第二MOS晶体管;第一导电型的第三MOS晶体管,其在偏置电流源与第一及第二MOS晶体管之间,限制第一及第二MOS晶体管的背栅电压。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113258892 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110153510.2 (22)申请日 2021.02.04 (30)优先权数据 2020-019244 2020.02.07 JP (71)申请人 艾普凌科有限公司 地址 日本东京都 (72)发明人 椎名美臣  (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 代理人 邓毅 黄纶伟 (51)Int.Cl. H03F 3/45 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 差动放大器 (57)摘要 本发明涉及差动放大器。差动放大器具备: 第一导电型的第一及第二MOS晶体管,它们构成 差动输入电路;偏置电流源,其使偏置电流流过 第一及第二MOS晶体管;第一导电型的第三MOS晶 体管,其在偏置电流源与第一及第二MOS晶体管 之间,限制第一及第二MOS晶体管的背栅电压。 A 2 9 8 8 5 2 3 1 1 N C CN 113258892 A 权 利 要 求 书 1/1页 1.一种差动放大器,其特征在于,其具备: 第一导电型的第一及第二MOS晶体管,它们构成差动输入电路; 偏置电流源,其使偏置电流流过所述第一及第二MOS晶体管;以及 第一导电型的第三MOS晶体管,其

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