一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116219550 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310413511.5 (22)申请日 2023.04.18 (71)申请人 哈尔滨工业大学 地址 150006 黑龙江省哈尔滨市南岗区西 大直街92号 (72)发明人 张甲　任宣羽　葛传洋　李宇阳　 (74)专利代理机构 北京和丰君恒知识产权代理 有限公司 11466 专利代理师 苏蓓 (51)Int.Cl. C30B 29/46 (2006.01) C30B 7/10 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法 (57)摘要 本发明涉及硒氧化铋薄膜制备领域，更具体 的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，使用 水热法制备二维Bi O Se，步骤一：将铋盐溶于加 2 2 入氢氧化钠的水溶液中，加入硝酸钾和硝酸锂形 成溶液A，步骤二 ：在氢氧化钠溶液中加入水合 肼，将硒粉溶于其中后形成溶液B，步骤三：将溶 液A和溶液B进行混合 ，转移至聚四氟乙烯内衬 中，步骤四 ：将准备好的衬底放入装有A和B混合 溶液的内衬中，装入反应釜；步骤五：将反应釜放 入烘箱，调节温度与时间，步骤六：反应完成后， 取出衬底，使用乙醇、去离子水洗涤，氩气吹干， 可以使用简单方法，绿色安全的批量生产 Bi O Se。 A 2 2 0 5 5