一种基于原位生长纳米片的双极膜及其制备方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114855217 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210652117.2 (22)申请日 2022.06.10 (71)申请人 中国科学技术大学 地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路 96号 (72)发明人 吴亮　杨晓琪　徐铜文　葛紫娟　 刘小菏　罗芬　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 王洋 (51)Int.Cl. C25B 13/08 (2006.01) C25B 13/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书11页 附图5页 (54)发明名称 一种基于原位生长纳米片的双极膜及其制 备方法 (57)摘要 本发明提供了一种基于原位生长纳米片的 双极膜制备方法，包括如下步骤：将磺酸型聚苯 醚阳离子交换膜液流延在基体上，并将流延有膜 液的基体进行加热，直至所述膜液中的部分磺酸 基团发生交联，得到交联型阳离子交换膜层；将 所述交联型阳离子交换膜层的一侧浸泡碱性高 铁酸钾溶液，得到羟基氧化铁纳米片阵列双极膜 界面层；在所述双极膜界面层上喷涂季胺型聚苯 醚阴离子交换膜液，烘干即得双极膜。本发明制 备的双极膜的水通量增高。通过原位生长的方式 将羟基氧化铁纳米片阵列固定在双极膜界面层 A 内，提升界面层亲水性，并且原位生长技术显著 7 提高催化层和膜层的界面结合力，水解离电压的 1 2 5 大幅降低，