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碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法

2023-04-27 13:30:34 发布于四川 1

申请专利号：CN202080046408.6
公开（公告）日：2025-02-18
公开（公告）号：CN114174569A
申请人：信越半导体株式会社

摘要：本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114174569 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202080046408.6 (74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司 11002 (22)申请日 2020.06.30 代理人张晶　谢顺星 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2019-123917 2019.07.02 JP C30B 31/06 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C30B 29/06 (2006.01) 2021.12.24 H01L 21/265 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 21/324 (2006.01) PCT/JP2020/025694 2020.06.30 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/002363 JA 2021.01.07 (71)申

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