静电放电保护装置及其布局设计

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112885828 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 201911205890.9 (22)申请日 2019.11.29 (71)申请人 晶豪科技股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 汤干绍　林廷叡　周祥明　张芳瑜　 (74)专利代理机构 北京国昊天诚知识产权代理 有限公司 11315 代理人 南霆　程爽 (51)Int.Cl. H01L 27/02(2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 静电放电保护装置及其布局设计 (57)摘要 本发明涉及一种用于半导体装置的静电放 电(ESD)保护装置，其包括栅极、源极以及漏极， 所述源极包括具有多个源极接触点的硅化部，所 述漏极包括具有多个漏极接触点的硅化部，其中 所述源极以及所述漏极沿装置轴线远离所述栅 极延伸。所述静电放电保护装置包括电阻保护氧 化部，其个别地位于所述多个漏极接触点之间以 及所述多个源极接触点之间的所述半导体装置 上。 A 8 2 8 5 8 8 2 1 1 N C CN 112885828 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种用于半导体装置的静电放电保护装置，其具有栅极、源极以及漏极