激光直写及其仿真的方法、装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113031390 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202110274061.7 (22)申请日 2021.03.15 (71)申请人 广东省大湾区集成电路与系统应用 研究院 地址 510000 广东省广州市广州开发区开 源大道136号A栋 (72)发明人 杨尚　叶甜春　韦亚一　张利斌　 王云　薛静　 (74)专利代理机构 广州华进联合专利商标代理 有限公司 44224 代理人 史治法 (51)Int.Cl. G03F 1/68 (2012.01) G02B 5/18 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图6页 (54)发明名称 激光直写及其仿真的方法、装置 (57)摘要 本发明涉及一种激光直写仿真的方法、激光 直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的 装置，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分 布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置；根 据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型， 得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时 在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；多束 激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在待 刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高 宽比大于预设值。上述激光直写仿真的方法可以 得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，可以 提高图案化后形成图像的保真度的结果，从而提 A 高了在待刻蚀材料上书写高宽比图