1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

晶片、外延片及其制造方法

2023-06-23 07:19:13 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202011098008.8
  • 公开（公告）日：2024-12-06
  • 公开（公告）号：CN113322521A
  • 申请人：赛尼克公司
摘要：本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域。实施方式的晶片的一面的边缘区域与中心区域之间的粗糙度偏差不大，且可以显示出低不对称性。实施方式的外延片呈现出更均匀的厚度特性，基于此，在制造半导体器件时可以提高器件的特性和成品率。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113322521 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202011098008.8 H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) (22)申请日 2020.10.14 (30)优先权数据 10-2020-0024789 2020.02.28 KR (71)申请人 SKC株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 朴钟辉　高上基　具甲烈　金政圭　 梁殷寿　李演湜　 (74)专利代理机构 成都超凡明远知识产权代理 有限公司 51258 代理人 魏彦 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图2页 (54)发明名称 晶片、外延片及其制造方法 (57)摘要 本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实 施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述 一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘 区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗 糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘 区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相

最新专利

相关专利