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• 包括湿式冷却在内的用于钢的热处理的装置和方法 公开日期：2024-07-09 公开号：CN114929941A 申请号：CN202080092541.5
  PCT发明 包括湿式冷却在内的用于钢的热处理的装置和方法

  • 申请号：CN202080092541.5
  • 公开号：CN114929941A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：法孚斯坦因公司

  本发明涉及一种用于去除在连续生产线的冷却阶段的出口处的金属带材上存在的残留物的方法，该残留物是在通过针对金属带材的非氧化性液体溶液和针对带材表面上存在的氧化物的剥离性液体溶液，或通过这种液体溶液和气体的混合物冷却所述金属带材期间形成的。根据本发明的方法的特征在于包括通过氢气还原残留物的步骤。

  发布时间：2023-05-20 11:10:27

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• 一种涂层板和家用电器 公开日期：2024-07-09 公开号：CN114645232A 申请号：CN202011515512.3
  发明 一种涂层板和家用电器

  • 申请号：CN202011515512.3
  • 公开号：CN114645232A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：广东美的制冷设备有限公司

  本发明公开一种涂层板和家用电器，其中，所述涂层板包括钢基板、第一防腐层和第二防腐层，所述钢基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；所述第一防腐层覆盖于所述第一表面；所述第二防腐层覆盖于所述第二表面；其中，所述第一防腐层和/或所述第二防腐层为锌铝镁镀层。本发明技术方案提高涂层板切口处的抗腐蚀性。

  发布时间：2023-05-14 11:41:17

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• 一种改善反应磁控溅射沉积稀土镍酸盐薄膜均匀性的方法 公开日期：2024-07-09 公开号：CN118086851A 申请号：CN202410486712.2
  发明 一种改善反应磁控溅射沉积稀土镍酸盐薄膜均匀性的方法

  • 申请号：CN202410486712.2
  • 公开号：CN118086851A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：西安交通大学

  本发明涉及磁控溅射工艺技术领域，具体涉及一种改善反应磁控溅射沉积稀土镍酸盐薄膜均匀性的方法，包括以下步骤：调整Ni靶材朝向基片的偏转角度进行磁控溅射以沉积薄膜，获取沉积薄膜中Ni元素的含量数据；对Ni元素的含量数据进行分析，以筛选出实现Ni元素在基片表面零梯度沉积的偏转角度；按照上述方法，筛选出实现RE元素在基片表面零梯度沉积的偏转角度；根据筛选出的Ni元素以及RE元素在基片表面零梯度沉积的偏转角度，制备镍酸盐薄膜，以改善稀土镍酸盐薄膜沉积均匀性。本发明旨在解决现有的磁控溅射工艺由于反应气体的引入而影响产物薄膜均匀性的问题。

  发布时间：2024-06-01 08:07:56

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• 一种高导热高导电的紫铜合金及其制备方法 公开日期：2024-07-09 公开号：CN116555773A 申请号：CN202310627935.1
  发明 一种高导热高导电的紫铜合金及其制备方法

  • 申请号：CN202310627935.1
  • 公开号：CN116555773A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：浙江惟精新材料股份有限公司|||上饶舜兴新材料有限公司

  本发明提供了一种高导热高导电的紫铜合金及其制备方法，属于铜合金制造技术领域。本发明提供的高导热高导电的紫铜合金的制备方法，包括以下步骤：((1)将紫铜铸坯依次进行初轧、酸洗和预成品轧制，得到预成品铸坯；(2)将所述步骤(1)得到的预成品铸坯依次进行钟罩式退火和二次酸洗，得到退火板带材；(3)将所述步骤(2)得到的退火板带材依次进行成品轧制和成品酸洗，得到高导热高导电的紫铜合金。实施例的结果显示，本发明提供的制备方法制备的高导热高导电的紫铜合金的抗拉强度＞280MPa，延伸率A11.3≥11％，硬度≥93HV，导电率＞98％IACS，90°弯折不开裂。

  发布时间：2023-08-11 23:09:15

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• 一种脉冲激光沉积装置及利用其制备梯度成分材料的方法 公开日期：2024-07-09 公开号：CN116043172A 申请号：CN202310037199.4
  发明 一种脉冲激光沉积装置及利用其制备梯度成分材料的方法

  • 申请号：CN202310037199.4
  • 公开号：CN116043172A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：北京工业大学

  本发明属于梯度材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲激光沉积装置及利用其制备梯度成分材料的方法。该装置包括反应腔和激光装置；所述反应腔的内部包括用于支撑第一靶材的第一靶托、用于支撑第二靶材的第二靶托、用于支撑衬底的样品托；所述激光装置包括激光器、第一半波片、第二半波片、第一偏振分束器、第二偏振分束器、反射镜、第一扫描振镜、第二扫描振镜。该装置设计了适配单激光器的激光光路，将单束脉冲激光分为两束脉冲激光同时轰击异种靶材，可通过控制两个半波片镜片的旋转，在沉积过程中实现激光功率连续变化，使轰击出异种靶材等离子体的成分浓度连续变化，经过混合后实现单层薄膜成分的连续变化，在厚度方向上形成梯度成分。

  发布时间：2023-05-12 09:53:30

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• 一种选择性化学镀厚金的方法 公开日期：2024-07-09 公开号：CN113699510A 申请号：CN202111006379.3
  发明 一种选择性化学镀厚金的方法

  • 申请号：CN202111006379.3
  • 公开号：CN113699510A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：四会富仕电子科技股份有限公司

  本发明公开了一种选择性化学镀厚金的方法，包括以下步骤：对经过化学镍加工后的生产板进行化学镀金处理，进行置换镀金，在焊盘表面沉积一层厚度为0.01～0.02μm的薄金层；在生产板上贴抗镀膜，并在抗镀膜上进行开窗，使需进行选择性镀厚金的焊盘部分显露；对生产板进行化学镀厚金处理，进行还原型化学镀金，在焊盘表面的薄金层上沉积一层厚度≥0.2μm的厚金层；褪去抗镀膜后再次进行化学镀厚金处理，使生产板上厚金层的厚度≥0.3μm，薄金层的厚度≥0.1μm。本发明方法在薄金沉积之后再利用镍层起到催化还原的作用产生电子进行两次化学厚金沉积，使形成的镀金层覆盖致密，在需要的地方选择性镀上厚金，能适应多种连接要求，适用范围广，成本低。

  发布时间：2023-07-01 07:14:28

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• 铜基石墨烯及导体的制备方法和电线电缆 公开日期：2024-07-09 公开号：CN114752914A 申请号：CN202110033699.1
  发明 铜基石墨烯及导体的制备方法和电线电缆

  • 申请号：CN202110033699.1
  • 公开号：CN114752914A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：上海新池能源科技有限公司|||浙江正泰电器股份有限公司

  一种铜基石墨烯的制备方法，包括如下步骤：对铜材进行表面清洗、干燥处理；依次将耐高温基片、铜材、耐高温基片堆叠放置，形成三层堆叠结构；退火处理；采用化学气相沉积法，在铜材的表面生长石墨烯层，得到铜基石墨烯。一种铜基石墨烯导体的制备方法，将上述铜基石墨烯经过热压烧结、拉丝、退火处理，得到铜基石墨烯导体。一种电线电缆，由多根绞合单体绞合而成，多根绞合单体包括一根或多根铜基石墨烯导体。本发明提供一种铜基石墨烯及导体的制备方法和电线电缆，采用基片‑铜材‑基片的三层堆叠结构，且从源头上减少氧化颗粒的形成，解决石墨烯制备过程中杂质污染的问题，制备出洁净石墨烯，可极大限度的提高电导率。

  发布时间：2023-05-16 10:42:19

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• 成膜方法和成膜装置 公开日期：2024-07-09 公开号：CN112391612A 申请号：CN202010788135.4
  发明 成膜方法和成膜装置

  • 申请号：CN202010788135.4
  • 公开号：CN112391612A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：东京毅力科创株式会社

  本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。

  发布时间：2023-05-29 12:06:37

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• 用于CVD反应器的进气装置 公开日期：2024-07-09 公开号：CN114787416A 申请号：CN202080084081.1
  PCT发明 用于CVD反应器的进气装置

  • 申请号：CN202080084081.1
  • 公开号：CN114787416A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：艾克斯特朗欧洲公司

  本发明涉及一种具有多个相叠地布置的进气区域(E1至E5)的气体分配装置，所述进气区域能够通过接通、关闭或者切换一个或多个输入管路(18)被调节，处理气体能够通过所述输入管路馈送到层状地相叠地布置的排气区(Z1至Z12)的气体分配容积(17)中，其中，通过每个进气区域(E1至E5)分别仅有一种相同的处理气体能够进入处理室(7)中。

  发布时间：2023-05-16 10:57:59

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• 紧固构件及其制造方法 公开日期：2024-07-09 公开号：CN114008235A 申请号：CN202180003908.6
  PCT发明 紧固构件及其制造方法

  • 申请号：CN202180003908.6
  • 公开号：CN114008235A
  • 公开日期：2024-07-09
  • 申请人：学校法人芝浦工业大学|||八幡控股有限公司

  本发明涉及一种紧固构件，具有由铝合金构成的基材和包覆所述基材的防腐蚀皮膜。该防腐蚀皮膜的特征在于，含有偏氢氧化铝(AlO(OH))，在对所述紧固构件进行了使用Cu‑Kα射线的X射线衍射分析时的图谱中，在将偏氢氧化铝的(020)面的衍射峰的峰强度设为IB(020)，将作为主峰的铝的(200)面的衍射峰的峰强度设为IAl(200)时，峰强度比R(IB(020)/IAl(200))为0.003以上且0.1以下。本发明中形成的防腐蚀皮膜均匀地形成于紧固构件，并且是稳定且密合性优异的皮膜。

  发布时间：2023-04-24 09:50:26

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